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揭秘半导体制造全流程(中篇)

揭秘半导体制造全流程(中篇)

在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。...

2021-07-26 标签:半导体晶圆半导体制造 2446

新思科技与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术

GAA晶体管结构是工艺技术进步的关键转折点,对于延续工艺进步趋势至关重要,为下一波超大规模创新提供保障。...

2021-07-07 标签:三星电子新思科技 123

解决裸硅圆片上金属污染的互补性测量技术解析

解决裸硅圆片上金属污染的互补性测量技术解析

作者:Lamoureux Violette,Figarols Fran?ois,Pic Nicolas,Vitrani Thomas 就产品质量和生产环境的清洁度而言,半导体行业是一个要求很高的行业。金属污染对芯片有害,所以应避免裸晶圆片上有金属污染...

2021-02-23 标签:晶圆光谱技术 1510

摩尔定律会消失?可替代摩尔定律衡量技术进步的更好方法

来源:悦智网 作者:Samuel K. Moore 提起技术领域最著名的信条,摩尔定律当然不能不提。50多年以来,摩尔定律一直在说明和预测晶体管会缩小,就像约每两年出现一个转折点(称为技术节点)...

2020-12-05 标签:集成电路半导体摩尔定律技术 927

视觉振盘 弗莱克斯柔性供料器

视觉振盘 弗莱克斯柔性供料器

弗莱克斯(深圳)智能科技有限公司推出了系列柔性振动盘和配套的视觉系统FF SIGHT。结合了柔性振盘的供料技术、视觉系统FF SIGHT的选料技术以及机器人取放料的柔性视觉上料系统已越来越多...

2021-02-20 标签: 136

干货 | 晶体材料及处理方法相详解

来源:功率半导体那些事儿 作者: Disciples 导语:目前,高密度和大尺寸芯片需要大直径的晶圆,同时更大直径晶圆能够不断降低芯片成本,更大直径的晶圆对于整个整备过程和晶体结构、电性...

2020-12-05 标签:半导体晶体晶圆 1315

晶圆级封装工艺过程示意图及优缺点介绍

目前晶圆键合工艺技术可分为两大类:一类是键合双方不需要介质层,直接键合,例如阳极键合;另一类需要介质层,例如金属键合。如下图2的键合工艺分类...

2021-03-01 标签:晶圆封装技术 4628

三星晶圆代工产能吃紧 高通交期拉长30周左右

三星晶圆代工产能吃紧,连带影响高通(Qualcomm)交期拉长。据陆媒报导指出,高通全系列产品交期已经拉长到30周左右,其中,部分蓝牙产品交期更拉长到33周,等同于现在下单要到第四季才能...

2021-03-02 标签:微控制器高通联发科三星电子晶圆代工 753

半导体原材料价格全面调涨 涨幅大约5~15%

国际厂商跟进台厂调涨电阻、铝电价格,全球第二大电阻厂厚声、日系第三大铝电厂Rubycon(红宝石)上周发出涨价通知,自3月1日开始调涨产品报价,其中厚声涨价幅度达20%,由于电阻、铝电...

2021-03-02 标签:电阻MLCC芯片电阻 897

半导体元器件的热设计:传热和散热路径

热源是IC芯片。该热量会传导至封装、引线框架、焊盘和印刷电路板。热量通过对流和辐射从印刷电路板和IC封装表面传递到大气中。...

2021-03-04 标签:热设计半导体元器件 1217

揭秘3nm GAE MBCFET 芯片的制造细节

三星电子和台积电目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒 TomsHardware 消息,三星在 IEEE 国际固态电路会议(ISSCC)上,三星工程师分享了即将推出的 3nm GAE?MBCFET?芯片的制造细节。 GAAFET 晶体...

2021-03-15 标签:三星电子台积电晶体管 1031

电子工程师谈从电子管到硅,从晶闸管到宽带隙

正如我们在2020年Electronica电力电子论坛上的演讲中所说的那样,电力行业的历史令人着迷,并且充满了令人惊叹的天才级工程师,他们正在使电源解决方案更高效,更轻便,更智能,甚至更多。...

2021-03-19 标签:晶体管GaN FET电子管 1161

浅谈晶圆检测整体流程及检测目的

晶圆检测是对芯片上的每一个晶颗粒体开展针测,在检验头装上金线制作而成细如毛发之探头针(probe),与晶颗粒体上的触点(pad)触碰,检测其电气特性,不过关的晶颗粒体会被标出来标记...

2021-03-24 标签:元器件晶圆晶圆制造 1761

GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术

GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术

寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年,当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验,这些材料显示出替代射频,发光,传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。...

2021-04-01 标签:二极管功率器件GaN 426

浅谈VMMK-3313及15至33 GHz应用中的晶圆级封装检测器使用

浅谈VMMK-3313及15至33 GHz应用中的晶圆级封装检测器使用

当将低损耗元件嵌入电路板中时,很难测量它在很宽的频率范围内的损耗。四分之一波偏置去耦线和梯形断路开路提供了一种提供偏置去耦的低损耗方法。但是,它们本质上是窄带。...

2021-04-11 标签:检测器连接器RF测量放大器vmmk器件 1163

全面描述SADP / SAQP流程的工作方式

全面描述SADP / SAQP流程的工作方式

作者: JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士,DAVID ABERCROMBIE,REHAB KOTB ALI和MENTOR的AHMED HAMED-FATEHY 自对准多图案化工艺已成为最先进节点的必要条件,在传统节点上,无论使用何种光刻技术,传统的光刻...

2021-04-11 标签:光刻技术EUV 3456

如何用一些不同的廉价材料来有效地替代导热膏?

如何用一些不同的廉价材料来有效地替代导热膏?

导热膏是一种致密的复合材料,用于改善电子元件与散热器之间的热接触(图2)。在CPU上必须使用它,因为它们是效率很低的组件,并且会在未使用的热量中耗散大量能量。...

2021-04-12 标签:cpu微处理器散热器导热膏 1233

深入了解SADP流程加快设计到流片的速度

深入了解SADP流程加快设计到流片的速度

无论芯片设计工程师有多认真,以及他们使用什么实施工具,验证团队在分解自对准双图案(SADP)设计的签核验证期间将始终遇到设计规则检查(DRC)错误。如果设计是手动分解的,则工程师...

2021-04-13 标签:芯片设计eda 925

?IBM全球首款2nm芯片制程 IBM 2纳米芯片制造技术要点

?IBM全球首款2nm芯片制程 IBM 2纳米芯片制造技术要点

IBM Research在其纽约奥尔巴尼技术中心宣布其突破性的2nm技术的消息。 据IBM官方表示,核心指标方面,IBM称该2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百万颗晶体管)为333.33,几乎是台积电...

2021-05-19 标签:IBM台积电晶圆晶体管7nm 906

高性能/低功耗65纳米 CMOS技术解析

高性能/低功耗65纳米 CMOS技术解析

富士通进一步改进制造工艺,为 ASIC 和 COT 客户提供世界一流的 65 纳米 CMOS 技术。这种极具竞争力的 65 纳米技术具有最大化性能和最小化功耗的选项。因此,该技术既适合以性能为导向的应用...

2021-06-18 标签:cpu服务器晶体管富士通 1301

Rick Gottscho博士:下一代芯片在堆叠、微缩和检验方面的挑战

泛林集团首席技术官Rick Gottscho博士接受了行业媒体Semiconductor Engineering (SE)的专访。...

2020-10-12 标签:存储技术机器学习EUVMRAM55nm工艺 359

探讨半导体制造原子层刻蚀与沉积工艺的自限性反应

探讨半导体制造原子层刻蚀与沉积工艺的自限性反应

原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应,提供原子级控制。 泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士 分享了他对这个话题的看法。 技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严...

2021-02-08 标签:半导体行业3d nand 1640

台积电5nm与三星5nm的本质差异 三星5LPE与台积电N5详解

台积电5nm与三星5nm的本质差异 三星5LPE与台积电N5详解

台积电提到对于包含60%逻辑单元、30% SRAM,以及10%模拟I/O的移动SoC而言,其5nm工艺能够缩减芯片35%-40%的尺寸——这样的值是更具参考价值的。...

2021-01-30 标签:台积电晶体管5nm麒麟9000骁龙888 13410

如何构建CMP模型 神经网络在CMP轮廓建模中的应用

如何构建CMP模型 神经网络在CMP轮廓建模中的应用

CMP 建模有很长的历史,包括单材料和双材料抛光的建模,以及众多沉积和蚀刻工艺的建 模 [6]。...

2021-01-30 标签:集成电路CMP机器学习 1632

浅谈半导体晶体管间距的缩放面积及连续节点的有效密度

浅谈半导体晶体管间距的缩放面积及连续节点的有效密度

翻译自——newelectronics 摩尔定律已经不能用了吗?其实这取决于哪一方面。 斯坦福大学电气工程教授Philip Wong与来自麻省理工学院、台积电、加州大学伯克利分校的研究所的同事一起,写了一篇...

2021-01-25 标签:CMOS电路设计eda晶体管FinFET 1178

FinFET的效用已趋于极限 浅谈晶体管缩放的难题

FinFET的效用已趋于极限 浅谈晶体管缩放的难题

作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道...

2021-01-25 标签:晶体管FinFET栅极晶体管 675

代工行业竞争愈加激烈 5/3nm芯片战争将开启

代工行业竞争愈加激烈 5/3nm芯片战争将开启

2021年,代工厂正在加紧各自5nm甚至3nm先进工艺的进程。与此同时,下游芯片商又必须在基于哪种工艺设计下一代芯片做出决定。这就可能影响到在3nm是延续现有的FinFET发展,还是在3nm或2nm采用...

2021-01-14 标签:处理器台积电晶体管7nm骁龙875 1035

台积电3nm将于2022年第二季进入量产 成熟制程产能全线吃紧

全球晶圆代工龙头台积电2020年交出亮丽成绩单,预期全年美元营收年成长率逾三成并创下历史新高。2021年虽然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地缘政治及贸易战等外在环境变数,但晶圆代工订单强劲...

2021-01-05 标签:台积电晶圆物联网wifi63nm工艺 798

硅光子在半导体制造技术的未来前景

光子学的目标是利用光来实现通信、数据传输、信息处理等传统电子设备所实现的功能。光子学成为一个实践性的工作方向始于1960 年激光器的发明。光纤传输信息的发明推动了光子技术在电讯...

2020-12-31 标签:集成电路eda晶圆代工光子器件硅光子 1097

基于台积电5nm工艺的A14芯片成本不会低 单颗芯片成本将高达238美元

基于台积电5nm工艺的A14芯片成本不会低 单颗芯片成本将高达238美元

此前苹果已经发布了A14芯片,作为全球首颗采用台积电5nm工艺的芯片,其集成118亿个晶体管,在性能和能效上相比A13都有一定提升。但A14芯片采用台积电5nm工艺,所付出的代价也是相当高的!...

2020-09-28 标签:晶圆华为苹果5nm 2460

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